Ekipman PVD Multi-Pwosesis Fim Mens la se yon platfòm depozisyon vakyòm entegre ki fèt pou konbine plizyè teknik fabwikasyon fim mens-ki gen ladan RF/DC Magnetron Sputtering, Thermal Evaporation, ak Elektwon Beam Evaporation-nan yon achitekti vakyòm inifye.

Sistèm sa a elimine kontaminasyon vakyòm ki genyen ant kouch pwosesis diferan, sa ki pèmèt depoze fim konplèks milti-metalik, dyelèktrik, ak semi-kondiktè san ekspoze anbyen. Konfigirasyon pou gwoup R&D nan laboratwa oswa pwodiksyon liy pilòt-, li akomode substrats jiska 300mm an dyamèt oswa transpòtè Customized.

Espesifikasyon teknik

Paramèt	Detay spesifikasyon
Presyon baz ultim	< 5.0 x 10^-6 Pa (Achieved via Turbo-Molecular and Cryogenic Pumping)
Materyèl Chanm	304L / 316L Nerjaveèi, Elektwo - Poli (Ra < 0.25 um)
Konpatibilite Substra	Silisyòm Wafers (jiska 300mm), Glass, Quartz, Foil metal, Substra fleksib
Sous depo	Jiska 4 katod Sputter (2-pous a 4-pous), 2 pòch E-travès, 2 bato tèmik
Inifòmite fim	+/- 1% atravè yon zòn substra 200mm (wotasyon-asistans)
Chofaj Substra	Anbyen a 800 C ak kontwòl tanperati bouk PID fèmen-
Pwovizyon pou pouvwa	DC (jiska 5kW), RF (13.56MHz, jiska 2kW), DC enpulsyonèl pou sputtering reyaktif
Sistèm kontwòl	PLC + PC Endistriyèl, lojisyèl SCADA, automatisation resèt konplè ak override manyèl

Karakteristik kle

Achitekti vakyòm modilè:Chanm pwosesis endepandan makonnen atravè tiyo pòtay yo anpeche kwa-kontaminasyon ant sputtering reyaktif ak gwo-evaporasyon vakyòm.

Nan-Transfè Substra vakyòm:Bra transfè mayetik oswa lineyè kenbe gwo vakyòm (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

Rapid-Chanje Sous Brides:Katod Sputter ak e-creze gwo bout bwa yo monte sou bride CF estanda pou antretyen rapid ak ranplasman sib.

Pyèj kriyojenik avanse:Pyèj frèt nitwojèn likid entegre ak pyèj Meissner minimize presyon vapè dlo rezidyèl andedan chanm lan.

Siveyans epesè bouk fèmen-:Detèktè kwatz kristal microbalance (QCM) bay pousantaj depozisyon reyèl -tan ak fidbak epesè ki lye dirèkteman nan règleman ekipman pou pouvwa.

Konfigirasyon sistèm vakyòm

Etap degrasaj:Lwil-ponp woulo liv gratis ki asosye ak souflè rasin milti-pou elimine reflu-idrokarbone.

Etap vakyòm segondè:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 L/s pou N2) ak kriyoponp opsyonèl pou gwo debi vapè dlo -.

Règleman presyon:Manomèt Baratron kapasite pou mezi presyon absoli endepandan de espès gaz, pè ak tiyo gaz otomatik pou kontwòl presi presyon gaz pwosesis (0.1 Pa a 10 Pa).

Deteksyon koule:Fuit elyòm -teste a <1 x 10^-9 Pa*m^3/s anvan tès akseptasyon faktori (FAT).

Materyèl evaporasyon ak konpatibilite substrate

Objektif kondiktif:Au, Ag, Cu, Al, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr.

Materyèl Dielectric:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (via sputtering reyaktif oswa e-gwo bout bwa).

Kalite substrate:
Semiconductor wafers (Silisyòm, Gallium Arsenide, Endyòm Fosfid).

Vid optik (Fused silica, BK7, Sapphire).

Web fleksib ak fèy metal mens (Polyimid, papye asye pur).

Aplikasyon ak done pèfòmans verifye

Optoelektwonik:Depozisyon kouch transparan oksid konduktif (TCO) ak pil filtre optik anti-reflektif (AR).

Semiconductor aparèy fabrikasyon:Fòmasyon kontak ohmik, baryè Schottky, kouch grenn pou galvanoplastie, ak baryè difizyon (Ti/TiN).

Faktori Capteur:Mens-fim metalik souch kalib, mikwo-eleman chofaj, ak transducteur piezoelektrik.

Avanse R&D:Eksplorasyon milti-kouch mens-sentèz fim pou konpozan informatique pwopòsyon ak nouvo materyèl depo enèji.

Opsyon personnalisation

Jeyometri chanm:Dimansyon chanm elaji pou substrats pakèt ki pa-estanda oswa ki twò gwo.

Entegrasyon sous:Rapò alokasyon koutim ant zam magnetron sputtering ak pòch evaporasyon gwo bout bwa elèktron.

Sputtering patipri:Substrate opsyon RF/DC patipri pou dans fim ak kontwòl estrès.

Chaje-Bloke Entegrasyon:Ajoute chaj otomatik-chanm fèmen pou kenbe entegrite vakyòm segondè pandan sik chaj gwo-debi.

Kontwòl Kalite & Tès Faktori

Trasabilite materyèl:Sètifika tès moulen (MTC) yo bay pou tout eleman vakyòm-bò asye pur ak ankadreman estriktirèl.

Asanble sal pwòp:Entegrasyon final ak verifikasyon -patikil yo fèt nan yon anviwònman chanm pwòp ISO Klas 6.

Tès Akseptasyon faktori (FAT):72-èd tan kontinyèl vakyòm kwit-soti tès, tès koule atravè analizè gaz rezidyèl (RGA) espektrometri mas, ak depo fim debaz kouri verifye inifòmite epesè.

Enstalasyon ak sipò teknik

Gid Preparasyon Sit:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 L / min), lè konprese, liy gaz pwosesis (Ar, O2, N2 nan 99.999% pite), ak kondisyon chaj elektrik (3-faz 380V / 480V).

Komisyonè:Enstalasyon sou plas-, kalibrasyon vakyòm, ak tès konjwen- enjenyè sèvis izin yo fè.

Fòmasyon Operatè:Fòmasyon striktire 5-jou sou plas ki kouvri antretyen woutin, pwotokòl sekirite vakyòm, pwogramasyon resèt, ak depanaj debaz yo.

Kesyon yo poze souvan

K: Ki tan tipik ponp-desann soti nan atmosfè jiska presyon baz final la?

A: Sèvi ak lwil oliv estanda -grassaj gratis ak turbo-konfigirasyon ponp molekilè, sistèm lan reyalize yon presyon baz nan <5.0 x 10^-6 Pa nan 45 minit soti nan yon kòmansman sèk, pwòp.

K: Èske yo ka amelyore sistèm nan sou teren an soti nan yon sèl chanm nan yon gwoup milti-chanm?

A: Wi. Konsepsyon ankadreman modilè a enkòpore pò estanda ConFlat (CF) bride ak koòdone estanda aliyman mekanik, sa ki pèmèt entegrasyon sous depo adisyonèl oswa modil chaj-lock nan etablisman w la.

K: Ki verrouillage sekirite ki entegre nan sistèm kontwòl la?

A: Achitekti PLC a gen ladann pyès ki nan konpitè-nivo verrouillage pou echèk koule dlo refwadisman, gout presyon lè konprese, estati ponp fè bak, sou-kondisyon tanperati, ak chanm vakyòm pwoteksyon aksidan vantilasyon.

Baj popilè: pvd milti-pwosesis ekipman fim mens, Lachin pvd milti-pwosesis manifaktirè ekipman fim mens, founisè, faktori